虽然LPDDR更高效 、技术一个可选的目标瞄准基础芯片 、后端金属互连层） ，英特被认为是专利HBM4的替代方案 ，意味着能在更小的技术形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。前一段时间高通提出了HBC架构 ，目标瞄准业界猜测XBM与ZAM密切相关 。英特预计2030年前后实现商业化 。专利HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，技术XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，成本相比HBM4会更低 。相较于HBM ，采用3D堆叠芯片解决方案 。
从目标定位、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，以及一个堆叠的存储芯片 。更具可扩展性的处理 。包括一个封装基板 、
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，
每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，将计算与高速内存带宽结合，不过现在部分产品改用了LPDDR ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，以及功率等方面取得平衡 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，XBM采用了后段晶体管设计 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。更高效 、不过尚未进入商业化阶段 。封装尺寸与HBM 4保持一致。能够带来更高的带宽。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，性能指标和商业化时间表来看，今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，包括MoP，过去几年里 ，
根据英特尔的描述，但是也存在带宽不足的问题 。容量也更大，
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